| 型号：FDS6575 | 类别：FET - 单 | 制造商：Fairchild Semiconductor |
| 封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 描述：MOSFET P-CH 20V 10A SO-8 | |
详细参数
| 类别 | FET - 单 |
|---|---|
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 10A SO-8 |
| 系列 | PowerTrench® |
| 制造商 | Fairchild Semiconductor |
| FET型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 20V |
| 电流_连续漏极（Id）0a025000C | 10A |
| 开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 13 毫欧 @ 10A，4.5V |
| Id时的Vgs（th）111最大222 | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷（Qg）0a0Vgs | 74nC @ 4.5V |
| 输入电容（Ciss）0a0Vds | 4951pF @ 10V |
| 功率_最大 | 1.2W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装 | SO-8 |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
供应商
| HECC GROUP CO，LIMITED | Sante Zhang/Mollie086-755-83241160（高端器件渠道商）/83950019/83950895/83950890 |
| 深圳市正信鑫科技有限公司 | 小邹0755-22655674/15099917285 |
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